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# 出样
「出样」专题聚焦即将推出的前沿科技产品,其中铠侠计划于2026年夏天推出下代Bi,东芝则将展示1200V沟槽栅碳化硅MOSFET,此外,三星电子也在业内率先出样HBM4E内存背。这些创新技术的问世将为行业带来革命性的突破。
🎯 当前焦点
  • 铠侠计划于2026年夏天推出下一代BiCS10 1Tb TLC NAND闪存。
  • 东芝出样1200V沟槽栅碳化硅MOSFET,服务于下一代AI数据中心。
  • 三星电子率先出样HBM4E内存,推动高性能计算发展。
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